英特尔号称10纳米工艺芯片领先对手整整一代

[摘要]英特尔10纳米工艺芯片制造成本比对手低30%，逻辑晶体管密度是上一代14纳米工艺的2.7倍，比对手领先整整一代。

腾讯数码讯（文心）据HotHardware网站报道，英特尔正在为今年晚些时候发布10纳米工艺的Cannonlake处理器进行准备工作，并已经开始宣传其先进制造工艺的优势。英特尔将在10纳米工艺方面与三星等竞争对手决一胜负。例如，高通已经开始向客户交付采用三星10纳米FinFET工艺的骁龙835处理器，并推出集成有48个内核的Centriq 2400 ARM服务器芯片尝试向英特尔传统领地发起进攻。但英特尔认为，它拥有出色的生产工艺，希望外界了解这一点。

但是，如果问起英特尔是如何看待10纳米工艺的，英特尔会称其10纳米工艺远远领先于竞争对手。

事实上，英特尔在“Technology and Manufacturing Day”中表示，其10纳米制造工艺比“其他公司”领先整整一代。英特尔还表示，在10纳米工艺方面，它有最高的功能密度，并采取措施确保在性能和成本方面远远领先于三星等竞争对手。

据英特尔称，其10纳米芯片制造成本比对手低30%。

HotHardware表示，在谈到业界对摩尔定律是否已经失效的担忧时，英特尔执行副总裁斯塔西 史密斯(Stacy Smith)进行了反驳，“按单个晶体管成本计算，我们的下跌速度略快于历史水平。摩尔定律还有生命力。我们迈出的步伐更大，领先业界对手3年时间。”

那么问题来了，英特尔如何证明其领先优势呢？除已经在采用第三代3D FinFET工艺外，英特尔还把晶体管栅极间距由14纳米工艺的70纳米减少至10纳米工艺的54纳米，最小金属间距(minimum metal pitch)由52纳米缩小到36纳米。因此，英特尔10纳米工艺芯片逻辑晶体管密度是上一代14纳米工艺的2.7倍，是与其最接近竞争对手的2倍。

HotHardware称，如上图所示，芯片制造工艺由45纳米发展到32纳米和22纳米时，芯片模区减小的比例都是0.62倍，但芯片制造工艺由22纳米发展到14纳米时，减小比例大幅提升，制造工艺由14纳米发展到10纳米时，减小比例再次提升。这一超高的减小比例使得英特尔能比竞争对手生产更小和密度更高的10纳米工艺芯片。

英特尔称，10纳米工艺的进一步优化，意味着与14纳米产品(例如Skylake和Kaby Lake)相比，即将发布的Cannonlake处理器性能会提升至多25%，能耗会降低45%。未来，英特尔将开发被称作“10++”的“增强版”10纳米工艺，性能会再提升15%，能耗则会再降低至多30%。

史密斯称，“我们总是会考虑以后3代工艺 7-9年。目前我们在考虑7和5纳米工艺。我们可能还不十分清楚哪种方法最适合5纳米工艺，但我们的文化因这些挑战而发展。”

来源：HotHardware

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